机译:拟态AlGaAs / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管,在18 GHz时具有0.41 dB的超低噪声性能
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机译:共面波导电路应用中未薄基板上的AlGaAs / GaAs双凹型伪高电子迁移率晶体管的功率性能和可扩展性研究
机译:低温液相沉积Al_2O_3栅绝缘体的AlGaAs / InGaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
机译:MM波性能为50nm T型栅格藻类/ INGAAS假形高电子迁移率晶体管,FT为200GHz
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:高迁移率GaAs / AlGaAs 2D电子系统中可调谐电子加热引起的巨磁阻
机译:假晶alGaas / InGaas / Gaas高电子迁移率晶体管,18 GHz时具有0.41 dB的超低噪声性能
机译:光控alGaas / Gaas高电子迁移率晶体管和Gaas mEsFET的微波性能