机译:新型InGaP-InGaAs-GaAs双通道拟态高电子迁移率晶体管(DC-PHEMT)的改进的温度相关性能
Dept. of Electr. Eng., Nat. Cheng Kung Univ., Tainan, Taiwan;
indium compounds; gallium arsenide; gallium compounds; high electron mobility transistors; microwave field effect transistors; semiconductor device measurement; leakage currents; high-temperature electronics; III-V semiconductors; InGaP-InGaAs-GaAs d;
机译:InGaP / InGaAs双通道伪非晶高电子迁移率晶体管,具有渐变的三层δ掺杂片。
机译:共面波导电路应用中未薄基板上的AlGaAs / GaAs双凹型伪高电子迁移率晶体管的功率性能和可扩展性研究
机译:高性能In_(0.49)Ga_(0.51)P / InGaAs单和双δ掺杂拟态高电子迁移率晶体管(δ-PHEMT)
机译:InGaP / InGaAs / GaAs双通道伪晶高电子迁移率晶体管(DC-PHEMT)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双通道金属氧化物晶体管中提高的迁移率和光电偏置稳定性的根源
机译:假晶alGaas / InGaas / Gaas高电子迁移率晶体管,18 GHz时具有0.41 dB的超低噪声性能