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光刻掩模的静电放电损伤及其防护

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摘要

半导体集成电路制造中,光刻工艺是整个制造过程中的核心技术.而光刻掩模(Reticle,Photomask)则为光刻技术中的最为关键的部件.随着半导体生产技术的不断提升,光刻掩模对静电放电敏感度也越来越高,如何防护光刻掩模避免遭受静电放电的损坏,已成为目前半导体集成电路制造中的一项挑战.

著录项

来源
《中国集成电路》 |2005年第10期|90-94,89|共6页
作者
管伟; Larry Levit;
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作者单位

Ion Systems Inc.亚太区;

ION systems Inc.Chief;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
静电放电敏感度; 光刻掩模; 防护; 半导体生产技术; 电损伤; 集成电路制造; 光刻技术; 制造过程; 光刻工艺;

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