半导体器件的静电放电损伤及防护(上)

摘要

一、静电放电(ESD)的损伤模型 半导体器件在生产、封装、传递、试验、运输、整机调试及现场运行时,都可能因静电放电(ESD)损伤而失效,对MOS电路尤其如此。 随着高分子材料的广泛应用,半导体器件在生产、使用环境中绝缘材料日益增多,所以半导体器件因静电放电引起的损伤日益严重。特别是大规模集成电路的发展,器件尺寸进一步减小,对ESD也更加敏感。为了