在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O半导体器件和逻辑半导体器件

摘要

说明了在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件及制造在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件的方法。例如，一种半导体结构包括布置在衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件具有导电类型，并包括具有第一功函数的栅极电极。半导体结构还包括布置在衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件具有所述导电类型，并包括具有不同的第二功函数的栅极电极。