法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-06-27
授权
授权
2010-10-13
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/14 申请日:20050929
实质审查的生效
2010-08-25
公开
公开
机译: 具有多层反射膜的基板,用于EUV光刻的反射掩模坯料,用于EUV光刻的反射掩模,用于EUV光刻的反射掩模的方法,以及制造半导体器件的方法
机译: 用于EUV光刻的具有多层反射膜的基板的制造方法,用于EUV光刻的反射型掩模板的制造方法,用于EUV光刻的反射型掩模的制造方法,以及半导体的制造方法
机译: 光刻掩模,可重写掩模,制造掩模的方法,用于处理基板的装置,光刻系统和半导体装置