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游树达;
中国华晶电子集团公司掩模制造中心;
无锡214061;
VLSI; 制造工艺; 光刻; 掩模; 集成电路;
机译:ArF水浸式光刻技术的后续产品:EUV光刻技术,多电子束无掩模光刻技术还是纳米压印技术?
机译:使用铬/蓝宝石载体的光刻掩模制造工艺
机译:掩模行业的最新趋势挑战了光刻技术的使用寿命,光掩模发展了12年,掩模市场下降了4%,内部生产比例已扩大到46%。
机译:ArF光刻技术,用于在小批量ASIC器件上印刷100nm栅极:与各种二进制掩模制造工艺有关的CD预算问题
机译:用于半球成像器的a-硅:氢TFT被动像素传感器的无掩模激光刻蚀光刻技术。
机译:使用灰度光刻技术实现微混合器的三维(3D)微结构制造的单一乳化掩模的实现
机译:利用单一计算光刻框架优化从设计规则,源和掩模到全芯片:基于水平集方法的逆光刻技术(ILT)
机译:用掩模离子束光刻技术印刷超大规模集成电路的前景
机译:具有用于反射层的EUV光刻技术,用于反射掩模坯料的EUV光刻技术,用于反射掩模的EUV光刻技术,以及具有反射层的衬底的制造方法。
机译:由一个或多个处理器执行的一个或多个指令中的一个或多个指令中的一个,所述处理器执行用于形成光刻掩模版图的方法,用于形成光刻掩模版图的装置以及用于形成光刻掩模版图的方法。包含一个或多个序列的计算机可读介质。
机译:掩模版,光刻技术以及用于投射两个或多个图像场的方法,该扫描技术可以对光刻过程进行一次扫描操作,从而可以提高光刻设备的扫描操作效率
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