无卤高CTI覆铜板的研制

摘要

cqvip:本文介绍了一种无卤高CTI覆铜箔基板材料的研制方式,通过对环氧树脂体系、固化剂体系、填料的种类和类型的选择和适当的比例搭配,得到一种玻璃化转变温度为150℃、漏电起痕指数CTI测试在600V以上,热冲击288℃浸锡5 min以上不爆板,可适合无铅制程的无卤素、高CTI基板制造所使用。