Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究

摘要

利用同步辐射光电发射和铁磁共振研究了Ｃｏ／ＧａＡｓ（１００）界面形成以及Ｃｏ超薄膜的磁性质。结果表明，在低覆盖度下，Ｃｏ吸附原子与衬底发生强烈的界面反应，在覆盖度为０．９ｎｍ时，形成稳定的界面，从衬底扩散出的Ｇａ原子与Ｃｏ覆盖层合金化，而部分Ａｓ原子与Ｃｏ原子发生反应，形成稳定的键合，这些反应产物都停在界面处很窄的区域内。