绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌

摘要

利用等离子体增强化学气相淀积技术，在绝缘氮化硅(SiNx)衬底上制备超薄非晶硅(a—Si：H)薄膜，通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理，制备出高密度、均匀纳米硅(nc-Si)量子点．使用原子力显微镜对处理前后样品的表面形貌进行了研究，发现激光辐照能量密度增加的同时，所形成的nc-Si尺寸也随之增加．在合适的能量密度范围内，可以得到面密度大于1011／cm2、尺寸分布标准偏差小于20％的10nm nc-Si量子点薄膜，表明所制备的nc-Si量子点具有较好的均匀性及较高的面密度．同时，对nc-Si量子点的形成过程进行了初步探讨．