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微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

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利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮(NCZ)和不含氮(CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷.研究表明,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小,并有冲出型位错产生.而在CZ中,生成了大量的多面体氧沉淀,并且随着热氧化时间的延长,层错的尺寸逐渐增大.

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来源
《物理学报》 |2004年第2期|550-554|共5页
作者
徐进; 杨德仁; 储佳; 马向阳; 阙端麟;
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作者单位

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
直拉硅; 透射电镜; 氧化诱生层错;

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