声表面波对GaAs(110)量子阱发光特性的调制

摘要

结合声表面波和光致发光谱在低温(15 K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的作用GaAs(110)量子阱的发光强度减弱,并且其对应的重空穴能级出现了分裂的现象,当施加的声波强度Prf达到20 dBm时,能级分裂ΔE达到了10 meV.进一步讨论了声表面波对GaAs(110)量子阱圆偏振光自旋注入的影响.