GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究

刘兴权; 陆卫; 徐文兰; 穆耀明; 陈效双; 马朝晖; 沈学础

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我们利用光调制反射光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近．通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中电子态影响发生变化，由于量子阱中电子态所受的约束的加强，我们观察到了价带到导带的跃迁明显的蓝移（ＨＨ１到Ｅ１，ＬＨ１到Ｅ１）．这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释．

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来源
《半导体学报》 |1998年第1期|25-28|共4页
作者
刘兴权; 陆卫; 徐文兰; 穆耀明; 陈效双; 马朝晖; 沈学础;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;基础理论;
关键词
砷化镓; 镓铝砷化合物; 光调制光谱;

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