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马格林; 张玉明; 张义门; 马仲发;
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071;
SiC; 化学态; XPS; FTIR;
机译:通过反应离子刻蚀3C-SiC异质外延层衬底,减少传播到3C-SiC同质外延层中的缺陷
机译:4H-SiC厚外延层上Ni肖特基二极管的电学分析和界面态评估
机译:远程氢等离子体对4H-SiC(0001)表面化学键合特征和电子态的影响
机译:真空升华增长:6H-SIC'立场竞争'外延和6C-SIC底板上生长的3C-SIC外延层的研究
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:在Cmp处理的3C-siC / si外延层上再生3C-siC
机译:4H-siC同质外延层堆垛层错特性的阴极发光研究
机译:sic的enkristall,生产sic的sic,sic的方法-带外延层的记录,制造具有外延层的sic盘的方法以及基于sic的电子设备
机译:制备固溶体(SiC) 4-x Sub>(AlN) x Sub>(AlN)(SiC) 1-x i>的外延层的方法子>(AlN)<子> x Sub>
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