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金豫浙; 胡益培; 曾祥华; 杨义军;
扬州大学物理科学与技术学院,扬州,225002;
GaN; 发光二极管; γ辐照; 辐照效应;
机译:3C-SiC / Si衬底上的InGaN / GaN多量子阱蓝光LED
机译:Al_(0.06)Ga_(0.94)N / GaN应变层超晶格覆层对AlN / GaN中间层的Si(111)衬底上生长的InGaN基多量子阱的影响
机译:GaN基多量子阱发光二极管中内部量子效率和载流子浓度的阱厚度依赖性
机译:氮化铝镓基多量子阱深紫外发光二极管的降解机理。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:InGaN / GaN基多量子阱分布反馈激光器的表征
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:GaN自持基体,GaN自持基体和蓝光LED的制造方法
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:垂直圆柱GaN量子阱晶体管的形成方法
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