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机译:GaN基多量子阱发光二极管中内部量子效率和载流子浓度的阱厚度依赖性
GaN-based light-emitting diode; multiple quantum well; internal quantum efficiency; efficiency droop;
机译:GaN基多量子阱发光二极管中内部量子效率和载流子浓度的阱厚度依赖性
机译:通过采用渐变量子阱和电子阻挡层来增加绿色GaN基发光二极管的内部量子效率
机译:使用速率方程模型评估GaN基蓝色发光二极管中与温度相关的内部量子效率和光提取效率
机译:基于效率-载流子-浓度曲线宽度的发光二极管内部量子效率
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:IngaN / GaN多量子孔绿发光二极管内部量子效率改进