Department of Electrical Computer and Systems Engineering;
Rensselaer Polytechnic Institute 110 Eighth St. Troy NY 12180 USA;
机译:基于效率-载流子-浓度曲线宽度确定GaInN量子阱辐射效率的方法
机译:GalnN / GaN发光二极管效率-载流子浓度曲线的对称性及其与下垂机理的关系
机译:从电流-电压曲线估算发光二极管的内部量子效率
机译:基于效率宽度 - 载体浓度曲线的宽度的发光二极管中的内部量子效率
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:具有高发光效率的超宽色域钙钛矿和CdSe / ZnS量子点基白光发光二极管
机译:具有由钨纳米掩模形成的气隙光子晶体结构的发光二极管的内部量子效率和光提取效率