机译:基于效率-载流子-浓度曲线宽度确定GaInN量子阱辐射效率的方法
Future Chips Constellation and Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, New York 12180, USA;
机译:基于效率-载流子浓度曲线宽度确定GalnN量子阱辐射效率的方法
机译:使用三元GaInN阻挡层的基于GaInN的多个量子阱蓝色LED的部分偏振匹配,可降低效率下降
机译:GalnN / GaN发光二极管效率-载流子浓度曲线的对称性及其与下垂机理的关系
机译:基于效率-载流子-浓度曲线宽度的发光二极管内部量子效率
机译:极化匹配的基于GaInN的发光二极管的效率和载流子传输
机译:确定视觉辨别力的整体量子效率的方法
机译:具有不同位错密度的Gainn / GaN多量子阱的内部量子效率和非辐射重组系数
机译:基于CaLINE 2的曲线族确定一氧化碳浓度的方法