一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种pGaN/ZnO基多量子阱/nZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法，该发光二极管及激光器包括pGaN层、ZnO/ZnMgO多量子阱层、nZnO层和金属电极。其制备方法如下：首先采用分子束外延法在pGaN薄膜上先后制备ZnO/ZnMgO多量子阱层和nZnO层；然后分别在pGaN及nZnO区镀上金属电极。本发明所制备的器件采用ZnO/ZnMgO多量子阱作为有源层，可降低发光二极管及激光器的阈值并提高其发光效率；此外，为解决同质结构中高效稳定的pZnO难以实现的问题，本发明采用pGaN作为空穴注入层；同时，相比于其它p型材料，GaN具有与ZnO结构相同、外延失配低的优势。