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一种垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管及其制备方法。该垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管包括ZnO单晶衬底，在所述ZnO单晶衬底的一面上自下而上依次沉积有n型ZnO过渡层、n型Zn

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-11-14

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20100106 申请日:20090806

发明专利申请公布后的驳回
2010-03-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-01-06

公开

公开

1. 一种垂直结构ZnO基多量子阱发光二极管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101621104A . 2010-01-06
2. 一种ZnO基多量子阱发光二极管 [P] . 中国专利： CN101359706B . 2010.10.13
3. N-ZNO/N-GAN/N-ZNO HETEROJUNCTION-BASED BIDIRECTIONAL ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DIODE AND PREPARATION METHOD THEREFOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020215441A1 . 2020-10-29

机译：基于N-ZNO / N-GAN / N-ZNO异质结的双向紫外发光二极管及其制备方法
4. A process for the preparation of a matrix of electrically controllable quantum well - components with the vertical structure [P] . 德国专利： DE69502347T2 . 1999-02-11

机译：具有垂直结构的电可控量子阱成分矩阵的制备方法。
5. process for the production of a matrix of electrically controllable quantumwell components with vertical structure [P] . 德国专利： DE69502347D1 . 1998-06-10

机译：垂直结构的电可控量子阱组件矩阵的制备方法