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李为军;
中国照明学会;
中国照明电器协会;
发光二极管; 复合速率; 量子点模型; 极化匹配; 电致发光;
机译:基于芯片尺寸的InGaN / GaN基多量子阱蓝色发光二极管的降解行为
机译:通过通过GaN覆盖层控制消除InGaN / GaN多量子阱结构中的V缺陷,提高了蓝色发光二极管的效率
机译:金属有机化学气相沉积法生长的GaN基多量子阱制备蓝色发光二极管
机译:氮化铝镓基多量子阱深紫外发光二极管的降解机理。
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势
机译:Nichia alGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的寿命试验
机译:高效的蓝色InGaN / GaN量子阱发光二极管,后期呈锯齿状
机译:高效的蓝色INGAN / GAN量子阱光发射二极管,具有锯齿状
机译:具有GaN量子阱的纳米阵列结构的超亮发光二极管及其制造方法
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