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戴俊; 王保珠; 秦磊; 于纪烨;
江苏科技大学物理系,江苏镇江212003;
氧化锌; 纳米结构; 电致发光;
机译:n-ZnO / p-GaN:Mg异质结的结构和电致发光特性
机译:来自N-ZnO / P-GaN异质结的可调谐电致发光,通过脉冲激光沉积生长的CSPBBR(3)中间层
机译:来自正向和反向偏置的N-ZnO膜/ P-GaN异质结的紫外线电致发光
机译:远程等离子体原子层沉积生长的n-ZnO:N / p-GaN异质结LED的局部电子结构和UV电致发光
机译:具有和不具有界面层的n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的开发。
机译:使用具有增强发光的n-ZnO / NiO / p-GaN异质结制造白色发光二极管
机译:来自P-GaN / N-ZnO Nanorod异质结的缺陷辅助调谐电致发光
机译:高性能假晶双异质结Inalas / In0.7Ga0.3as / Inalas HEmTs的实验和理论特性。
机译:在由Al 2 O 3 c-制成的衬底上,在紫外线中发射n-zno / p-gan:mg异质结的碱的二极管的实施方案的简要说明。
机译:基于N-ZNO / N-GAN / N-ZNO异质结的双向紫外发光二极管及其制备方法
机译:n-ZnO / p-GaAs异质结光电二极管及其制造方法
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