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沈宗雍;
无;
机译:具有绝缘体区域(IR-SOI)的SOI MOSFET:一种用于可靠的纳米级CMOS电路的新型器件
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:具有16 GHz f / sub t /双多晶硅双极型器件的亚微米BiCMOS的工艺集成和器件性能
机译:激光再结晶SOI上的CMOS A / D转换器,控制晶体生长方向
机译:单片集成 CMOS FDSOI 电子 - 性和空穴 量子点 量子比特 和 读出电子器件 的 大规模 量子 计算处理器
机译:具有片上系统应用混合传感器/存储器特性的CMOS兼容多晶硅纳米线器件
机译:电离辐射对siO2区熔融 - 再结晶硅薄膜制备sOI / CmOs器件的影响
机译:使用单个N +多晶硅层在SOI- CMOS工艺中为N和P沟道器件提供掩埋接触的方法
机译:使用单个N +多晶硅层的SOI-CMOS工艺中的N和P沟道器件的埋入式触点
机译:将自旋扭矩转移磁致电阻MRAM存储器阵列集成到具有n +和p +多晶硅栅的VLSIC CMOS / SOI中
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