一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法

摘要

本发明提供一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法，基于SOI CMOS的电子器件上设有多个剥离槽，所述剥离槽贯穿所述基于SOI CMOS的电子器件，不仅便于基于SOI CMOS的电子器件的制造，而且在减少弯折时的应力，防止基于SOI CMOS的电子器件损坏，通过开设剥离槽且将剥离槽贯通至埋氧化层，并对埋氧化层进行腐蚀处理，将埋氧化层腐蚀，进而使得基于SOI CMOS的电子器件脱离衬底基板，基于SOI CMOS的电子器件在支撑架的支撑下形成悬空结构，降低了制造工艺难度、减少制造成本，通过PDMS印章将电子器件剥离至目标基底。