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Symposium on VLSI Technology
Symposium on VLSI Technology
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1.
Field isolation process for submicron CMOS
机译:
亚微米CMOS的场隔离过程
作者:
P. A. van der Plas
;
W. C. E. Snels
;
A. Stolmeijer
;
H. J. den Blanken
;
R. de Werdt
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
2.
Submicron tungsten gate MOSFET with 10 nm gate oxide
机译:
具有10nm栅极氧化物的亚微米钨门MOSFET
作者:
B. Davari
;
C. Y. Ting
;
K. Y. Ahn
;
S. Basavaiah
;
C. K. Hu
;
Y. Taur
;
M. R. Wordeman
;
O. Aboelfotoh
;
L. Krusin-Elbaum
;
R. V. Joshi
;
M. R. Polcari
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
3.
Ion-enhanced evaporated tungsten for VLSI applications
机译:
用于VLSI应用的离子增强蒸发钨
作者:
R. V. Joshi
;
T. N. Nguyen
;
J. Fioro
;
Y. H. Kim
;
F. DHeurle
;
J. Angilello
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
4.
Submicron gap planarization with photo CVD and spin-on-glass multi-layers for multi-level interconnections
机译:
具有照片CVD和旋转玻璃多层的亚微米间隙平面化,用于多级互连
作者:
K. Yano
;
S. Tanimura
;
T. Ueda
;
T. Fujita
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
5.
Relationship between gate bias and hot-carrier induced instabilities in p-channel MOSFETs
机译:
P沟道MOSFET中栅极偏置与热载波诱导稳定性之间的关系
作者:
H. P. Brassington
;
R. R. Razouk
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
6.
Trench capacitor using R.T.O. for MEGA bit DRAM's
机译:
沟槽电容使用R.T.O.对于巨型位DRAM的
作者:
K. Yoneda
;
T. Taniguchi
;
H. Uchida
;
H. Okada
;
H. Oishi
;
Y. Miyai
;
M. Inoue
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
7.
A CMOS A/D converter on laser recrystallized SOI with controlling the crystal growth direction
机译:
激光再结晶SOI上的CMOS A / D转换器,控制晶体生长方向
作者:
S. Kuaunoki
;
K. Sugahara
;
T. Nisliimura
;
T. Kumamoto
;
M. Nakaya
;
N. Yaiawa
;
Y. Horiba
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
8.
Formation of Si-on-insulator structure by lateral solid phase epitaxial growth with local P-doping
机译:
用局部P掺杂形成横向固相外延生长的全绝缘体结构
作者:
M. Moniwa
;
M. Miyao
;
T. Warabisako
;
K. Kusukawa
;
E. Murakami
;
S. Shukuri
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
9.
Analysis and solution of a yield-limiting patterned-fail mechanism in a 1 Mbit DRAM
机译:
1 Mbit DRAM中产量限制图案故障机制的分析与解
作者:
E. J. Nowak
;
W. M. Trickle
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
10.
Hot-carrier-induced MOSFET degradation: AC versus DC stressing
机译:
热载体诱导的MOSFET降解:AC与DC应力
作者:
J. Y. Choi
;
P. K. Ko
;
C. Hu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
11.
Discontinuities in very high-speed lossy transmission lines for chip-to-chip interconnections
机译:
用于芯片到芯片互连的非常高速损耗传输线路的不连续性
作者:
Oh-Kyong Kwon
;
R. F. W. Pease
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
12.
Sub micron P-MOSFETs under static and swap stress
机译:
静态和交换应力下的亚微米P-MOSFET
作者:
H. -M. Mühlhoff
;
P. Murkin
;
M. Orlowski
;
W. Weber
;
K. H. Kusters
;
W. Müller
;
C. M. Rogers
;
H. Wendt
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
13.
Hot-carrier effects under pulsed stress in CMOS devices
机译:
CMOS器件脉冲应力下的热载波效应
作者:
Masaaki Aoki
;
Kazuo Yano
;
Toshiaki Masuhara
;
Kunihiro Komiyaji
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
14.
The Mechanism of the desire process
机译:
欲望过程的机制
作者:
B. Roland
;
R. Lombaerts
;
F. Coopmans
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
15.
A 100 nm emitter transistor fabricated with direct EB writing for high-speed bipolar LSIs
机译:
100 NM发射极晶体管,用于高速双极LSIS直接EB写入
作者:
Yoichi Tamaki
;
Fumio Murai
;
Kazuhiko Sagara
;
Akio Anzai
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
16.
A high density 4Mbit dRAM process using a fully overlapping bitline contact (FoBIC) trench cell
机译:
使用完全重叠的位线接触(FOBIC)沟槽电池的高密度4Mbit DRAM工艺
作者:
K. H. Küsters
;
G. Enders
;
W. Meyberg
;
H. Benzinger
;
B. Hasler
;
G. Higelin
;
S. R?hl
;
H. M. Mühlhoff
;
W. Müller
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
17.
Double diffraction alignment method using checker grating
机译:
使用检查机光栅的双衍射对准方法
作者:
M. Tabata
;
T. Tojo
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
18.
Three dimensional process simulator for photo and electron beam lithography, and estimations of proximity effects
机译:
用于光电和电子束光刻的三维过程模拟器,以及近距离效应的估算
作者:
Y. Hirai
;
M. Sasago
;
M. Endo
;
K. Ikeda
;
S. Tomida
;
S. Hayama
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
19.
Fllckcr noise in CMOS: A unlfied model for VLSI processes
机译:
CMOS中的FLLCKCR噪声:VLSI进程的UNLFED模型
作者:
A. A. Abidi
;
C. R. Viswanathan
;
J. J. -M. Wu
;
J. A. Wikstrom
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
20.
PASPAC (Planaraized Al/Silicide/Poly Si with self aligned contact) with low contact resistance and high reliability in CMOS LSIs
机译:
PASPAC(Planaraized Al /硅化物/聚SI,带有自对准接触),具有低接触电阻和CMOS LSI的高可靠性
作者:
Masakazu Kakumu
;
Tetsuya Asami
;
Kazuhiko Hashimoto
;
Junichi Hatsunaga
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
21.
Universal mobility-field curves for electrons and holes in MOS inversion layers
机译:
MOS反转层中电子和孔的通用移动场曲线
作者:
J. T. Watt
;
J. D. Plummer
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
22.
Verification of an analytic model for latchup in epitaxial CMOS
机译:
验证外延CMOS中的闩锁分析模型
作者:
A. Chatterjee
;
J. A. Seitchik
;
J. H. Chorn
;
P. Vang
;
C-C Wei
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
23.
Improvement of dielectric strength of TiSix-polycide-gate system by using rapidly nitrided oxides
机译:
通过快速氮化氧化物改善TISIX-聚合栅系统介电强度
作者:
T. Hori
;
N. Yoshii
;
H. Iwasaki
;
M. Fukumoto
;
T. Ohzone
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
24.
Photo cleaning of Si surface after reactive ion etching
机译:
反应离子蚀刻后Si表面的照片清洁
作者:
E. Ikawa
;
S. Sugito
;
N. Aoto
;
Y. Kurogi
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
25.
Very thin nitride/oxide composite gate insulator for VLSI CMOS
机译:
用于VLSI CMOS的非常薄的氮化物/氧化物复合栅极绝缘体
作者:
L. Dori
;
J. Sun
;
M. Arienzo
;
S. Basavaiah
;
Y. Taur
;
D. Zichermann
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
26.
A 7GHz PNP transistor for complementary bipolar LSI
机译:
用于互补的Bipolar LSI的7GHz PNP晶体管
作者:
Chikara Yamaguchi
;
Yoshiji Kobayashi
;
Tetsushi Sakai
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
27.
Accelerated testing of silicon dioxide wearout
机译:
加速试验二氧化硅磨损
作者:
I. C. Chen
;
J. Lee
;
C. Hu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
28.
Advanced excimer laser lithography
机译:
先进的准分子激光光刻
作者:
M. Endo
;
K. Nakagawa
;
Y. Hirai
;
M. Sasago
;
K. Ogawa
;
T. Ishihara
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
29.
Soft-error immune switched-load-resistor memory cell
机译:
软误差免疫开关 - 负载电阻器存储器
作者:
Noriyuki Homma
;
Tohru Nakamura
;
Tetsuya Hayashida
;
Motoaki Matsumoto
;
Kazuo Nakazato
;
Takahiro Onai
;
Youichi Tamaki
;
Mitsuo Namba
;
Kazuhiko Sagara
;
Kiyoji Ikeda
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
30.
Subquarter-micrometer p-channel MOSFET's with 80 nm S/D junctions
机译:
具有80nm的S / D连接点的次级转速计P沟道MOSFET
作者:
M. Miyake
;
T. Kobayashi
;
S. Horiguchi
;
K. Iwadate
;
K. Kurihara
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
31.
Technology and modeling of submicron contacts
机译:
亚微米触点的技术与建模
作者:
P. Wright
;
W. Loh
;
C-C Fu
;
D. Dameron
;
K. Saraswat
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
32.
Mechanism of hot-electron-induced nMOSFET's degradation
机译:
热电子诱导的NMOSFET降解机制
作者:
Toshiaki Tsuchiya
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
33.
The use of CoSi2 as compared to TiSi2 for a self-aligned silicide technology
机译:
与TISI2相比,COSI2用于自对准硅化物技术
作者:
L. Van den hove
;
R. Woiters
;
K. Maex
;
R. De Keersmaecker
;
G. Declerck
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
34.
Effects of titanium salicide process on oxide charge trapping and hot-electron reliability in submicron MOS devices for VLSI
机译:
钛硅酸盐过程对VLSI亚微米MOS装置氧化物电荷捕获和热电子可靠性的影响
作者:
Shuo-Tung Chang
;
Kuang Chiu
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
35.
A trench isolation technology for high-speed and low-power dissipation bipolar LSI's
机译:
高速和低功耗耗散Bipolar LSI的沟槽隔离技术
作者:
H. Sakui
;
K. Kikuchi
;
S. Kameyama
;
M. Kajiyama
;
T. Komeda
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
36.
Hot-carrier degradation mechanism under AC stress in MOSFET's
机译:
MOSFET中AC应力下的热载体降解机制
作者:
Yasuo Igura
;
Eiji Takeda
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
37.
0.5??m CMOS technology for 5.6nsec high speed 16??16 bit multiplier
机译:
0.5 ?? M CMOS技术5.6nsec高速16 ?? 16位倍增器
作者:
Kazushi Tsuda
;
Hiroshi Takato
;
Maoko Takbnouchi
;
Kenji Tsuckiya
;
Yukihito Oowaki
;
Kenji Numata
;
Akihiro Nitayama
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
38.
A high aspect ratio and high throughput SiO2 planarization technology with Bias-ECR plasma deposition
机译:
具有偏压ECR等离子体沉积的高纵横比和高通量SiO2平面化技术
作者:
Katsuyuki Machida
;
Hideo Oikawa
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
39.
A novel contact-hole filling technology with selective CVD-W for shallow junctions
机译:
一种新型接触孔灌装技术,具有选择性CVD-W,用于浅线
作者:
T. Kakiuchi
;
H. Yamamoto
;
T. Fujita
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
40.
Advanced one micron BiCMOS technology for high speed 256K srams
机译:
高速256K SRAM先进的一微米BICMOS技术
作者:
B. Bastani
;
C. Lage
;
L. Wong
;
J. Small
;
R. Lahri
;
L. Bouknight
;
T. Bowman
;
J. Manoliu
;
P. Tuntasood
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
41.
Unified model for electric fields in LDD-type MOSFETs
机译:
LDD型MOSFET中电场统一模型
作者:
M. Orlowski
;
Ch. Werner
;
W. Weber
;
H. -P. Mühlhoff
;
P. Murkin
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
42.
Reduced process sensitivity of polysilicon emitter contacts for VLSI bipolar transistors
机译:
VLSI双极晶体管的多晶硅发射器触点的过程敏感性降低
作者:
E. Crabbé
;
J. L. Hoyt
;
M. M. Moslehi
;
R. F. W. Pease
;
J. F. Gibbons
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
43.
Hot electron energy analysis using a high-speed Monte Carlo simulation
机译:
使用高速蒙特卡罗模拟的热电子能源分析
作者:
K. Kato
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
44.
Shallow trench isolated buried N+ FAMOS transistors for VLSI EPROMs
机译:
孤立的浅沟埋地埋地n + famos晶体管为VLSI EPROM
作者:
A. L. Esquivel
;
A. T. Mitchell
;
J. L. Paterson
;
H. L. Tigelaar
;
B. R. Riemenschneider
;
T. M. Coffman
;
M. Gill
;
R. Lahiry
;
D. McElroy
;
P. Shah
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
45.
In-situ MOS gate engineering in a novel rapid thermal/plasma multiprocessing reactor
机译:
新型快速热/等离子体多处理反应器中的原位MOS门工程
作者:
Mehrdad M. Moslehi
;
Man Wong
;
Krishna C. Saraswat
;
Steven C. Shatas
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
46.
A band-to-band tunneling effect in the trench transistor cell
机译:
沟槽晶体管电池中的带对带隧道效应
作者:
Sanjay Banerjee
;
Jim Coleman
;
Bill Richardson
;
Ashwin Shah
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
47.
A silicon-added bilayer resist (SABRE) process for high-resolution optical lithography
机译:
用于高分辨率光学光刻的硅添加的双层抗蚀剂(Saber)工艺
作者:
W. C. KcColgin
;
J. Jech
;
R. C. Daly
;
T. B. Brust
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
48.
A new CMOS SRAM cell with fully planarizing technology
机译:
具有完全平坦的技术的新CMOS SRAM单元
作者:
Yoshitaka Narita
;
Shuichi Ohya
;
Masanori Kikuohi
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
49.
Thin-base bipolar technology by low-temperature photo-epitaxy
机译:
低温照片外延的薄基双极技术
作者:
T. Sugii
;
T. Yamazaki
;
T. Fukano
;
T. Ito
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
50.
Variable proximity corrections for submicron optical lithographic masks
机译:
亚微米光学光刻面具的可变邻近校正
作者:
Y. Nissan-Cohen
;
P. Frank
;
E. W. Balch
;
B. Thompson
;
K. Polasko
;
D. M. Brown
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
|
1987年
51.
A folded resistor and capacitor (FRC) static memory cell with triple poly-Si structures
机译:
具有三重多Si结构的折叠电阻和电容器(FRC)静态存储器
作者:
Toshiaki Yamanaka
;
Naotaka Hashimoto
;
Yoshifumi Kawamoto
;
Yoshio Sakai
;
Shigeru Honjo
;
Osamu Minato
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
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1987年
52.
Low-resistive and selective silicon growth as a self-aligned contact hole filler and its application to 1M M bit static RAM
机译:
低电阻和选择性硅生长作为自对准接触孔填充物及其在1M M位静态RAM上的应用
作者:
H. Shibata
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S. Somata
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M. Saitoh
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T. Matsuno
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H. Sasaki
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Y. Matsushita
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K. Hashimoto
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Jun-ichi Matsunaga
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
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1987年
53.
Experimental characterization of ??-induced charge collection mechanism for megabit DRAM cells
机译:
兆比特DRAM细胞诱导电荷收集机制的实验表征
作者:
K- Takeuchi
;
K. Shimohigashi
;
E. Takeda
;
E. Yamasaki
;
T. Toyabe
;
K. Itoh
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
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1987年
54.
0.5 ??m Device processing with excimer laser-based lithography
机译:
0.5 ?? M器材加工基于准分子激光的光刻
作者:
Victor Pol
;
James H. Bennewitz
;
James T. Clemens
会议名称:
《Symposium on VLSI Technology》
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1987年
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