机译:具有16 GHz f / sub t /双多晶硅双极型器件的亚微米BiCMOS的工艺集成和器件性能
机译:亚微米自对准双多晶硅双极器件的发射极电阻和性能折衷
机译:使用BF / sub 2 /注入基极并具有快速热处理的30 GHz f / sub T /亚微米双多晶硅双极技术的工艺和器件表征
机译:空穴传输层的不同处理方法对双层有机发光器件性能的影响
机译:亚微米自对准双多晶硅双极器件的发射极电阻和性能折衷
机译:亚微米孔的生物功能化和三维混合微流控/纳米流控设备中质量受限的样品处理。
机译:编辑为特殊问题的2D纳米材料加工和集成在小型化装置中的集成
机译:Perovskite内存设备:高性能解决方案处理有机金属卤化物跨杆阵列结构中的UniPolar电阻存储器件(ADV。Mater。21/2019)
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模