一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构

摘要

本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构.即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管,来减小其所受电应力.经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2.0对倒相器的模拟结果表明:该结构使衬底电流降低约50%,器件的热载流子退化效应明显改善而不会增加电路延迟;且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现,工艺简明可行又无须增加芯片面积.