电离总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的实验研究

摘要

通过开展0.18μm工艺制造的PPD CMOS图像传感器60C0γ射线电离总剂量辐照效应实验,得出了PPD CMOS图像传感器的时域、空域和光谱类参数随总剂量增大的退化规律,分析了总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器暗电流、随机噪声、暗信号不均匀性(DSNU)、光响应不均匀性(PRNU)、系统总增益、饱和输出、信噪比(SNR)、动态范围(DR)、量子效率(QE)、光响应度(R)等辐射敏感参数退化的实验规律,揭示了总剂量诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的损伤机理,为开展CMOS图像传感器抗电离辐射加固和损伤评估技术研究提供了理论和实验技术支持.