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CMOS制造工艺中改进热载流子效应的方法

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摘要

本发明涉及一种超大规模集成电路CMOS制造中改善热载流子效应的工艺集成方法。通过在栅氧化工艺前及晶体管栅多晶图形定义完成后分别增加热氧化工艺，可以有效减少栅氧化层内的界面陷阱，特别是漏端靠近多晶边缘的氧化层界面陷阱，从而降低热载流子在栅氧内被捕获的几率，改善热载流子效应。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-02-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 授权公告日:20060927 终止日期:20151216 申请日:20031216

专利权的终止
2006-09-27

授权

授权
2005-07-20

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-11-17

公开

公开

1. CMOS制造工艺中改进热载流子效应的方法 [P] . 中国专利： CN1277305C . 2006.09.27
2. BCD工艺中的自对准高压CMOS制造工艺方法 [P] . 中国专利： CN102104023B . 2013.09.11
3. Barrier layer to achieve a threshold voltage control in a CMOS device formed by the improved method of forming a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structure having a stable threshold voltage and flat band voltage (high-k dielectric selective implementation of) [P] . 日本专利： JP4711444B2 . 2011-06-29

机译：在通过改进的形成具有稳定阈值电压和平坦带电压的互补金属氧化物半导体（CMOS）结构的方法形成的CMOS器件中，实现在CMOS器件中实现阈值电压控制的阻挡层（的高k电介质选择性实现）
4. P-CHANNEL SCMOSFET,ITS MANUFACTURING PROCESS AND ITS APPLICATION TO CMOS [P] . 韩国专利： KR870002066B1 . 1987-12-03

机译： P沟道SCMOSFET及其制造工艺及其在CMOS中的应用
5. METHOD FOR REDUCING POLY-DEPLETION IN DUAL GATE CMOS FABRICATION PROCESS [P] . 美国专利： US2012322216A1 . 2012-12-20

机译：减少双栅CMOS制造工艺中的多损耗的方法