Hong Kong University of Science and Technology (People's Republic of China).;
机译:适用于器件和电路CAD的薄膜SOI MOSFET的物理短通道模型
机译:0.25μm全耗尽SOI MOSFET,用于RF混合模拟数字电路,包括与部分耗尽器件的高频噪声参数相关的比较
机译:使用兼容SPICE的物理子电路模型仿真部分和接近完全耗尽的SOI MOSFET器件和电路
机译:薄膜全耗尽SOI MOSFET中热载流子效应的表征
机译:单晶薄膜绝缘体上硅(TFSOI)CMOS集成电路的物理和技术发展
机译:多芯片SIC MOSFET模块多物理仿真辅助光学测量的热阻抗表征
机译:超薄SOI MOSFET中的回跳现象的紧凑等效电路模型和ESD保护器件设计实用指南
机译:用于节能数字集成电路的mOsFET替换器件