Lehigh University.;
机译:SONOS型非易失性存储器中HfGdO电荷俘获层的双溅射工艺灵敏度
机译:HfAlO电荷陷阱层中具有最佳Al掺杂的新型SONOS型非易失性存储设备
机译:局部电荷陷阱非易失性存储设备中的阈值电压波动
机译:非易失性全能栅电荷陷阱SONOS存储单元的建模
机译:纳米级SONOS / MANOS非易失性半导体存储器(NVSM)器件的表征和建模
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:Ta2O5-TiO2复合电荷捕获电介质,用于应用非易失性存储器
机译:2K非易失性影子Ram和265K EEpROm sONOs非易失性存储器开发