机译:用于非易失性存储应用的使用多层介电层的电荷陷阱器件
机译:一种隧道介电层自由浮栅非易失性存储器,采用I型核 - 壳量子点作为离散电荷捕获/隧道中心
机译:具有高κ介电常数和SiGe外延衬底的非易失性电荷陷阱存储电容器的改进工作特性
机译:Non掺杂SrTiO_3在非易失性存储应用中的改进的电荷捕获性能
机译:SONOS非易失性存储设备中的均匀和局部电荷陷阱。
机译:Ta2O5-TiO2复合电荷俘获电介质在非易失性存储器中的应用
机译:Ga 2 O 3(Gd 2 O 3)作为非易失性存储器应用的电荷俘获层