声明
摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 新型非易失性存储器
1.2.1 磁阻存储器
1.2.2 阻变存储器
1.2.3 铁电存储器
1.2.4 相变存储器
1.3 浮栅型存储器
1.3.1 工作原理
1.3.2 典型结构
1.4 CTM研究意义
1.5 本文的工作安排
参考文献
第二章 电荷俘获存储器概述
2.1 CTM发展史
2.2 CTM工作原理
2.3 CTM编程擦除机制
2.3.1 量子隧穿
2.3.2 热电子注入
2.4 俘获层材料研究
2.4.1 传统的俘获层材料
2.4.2 俘获层Si3N4材料改进
2.4.3 高k材料俘获层
2.5 性能参数及提升方法
2.5.1 性能参数
2.5.2 提升方法
2.6 本文的研究方法
2.6.1 第一性原理及密度泛函理论
2.6.2 VASP简介
参考文献
第三章 杂质Al对俘获层中氧空位影响研究
3.1 计算方法
3.2 理论模型
3.2.1 氧空位形成能
3.2.2 相互作用能
3.3 数据保持特性
3.3.1 电荷俘获能
3.3.2 Bader电荷
3.3.3 态密度与能带结构
3.3.4 量子态数
3.4 耐擦写性分析
3.4.1 能量计算
3.4.2 结构比较
3.5 本章小结
参考文献
第四章 缺陷距离及浓度对CTM性能影响研究
4.1 Al和Vo3共掺杂时缺陷距离对CTM数据保持特性研究
4.1.1 结构模型
4.1.2 计算结果分析讨论
4.1.3 结语
4.2 Al浓度变化对HfO2俘获层可靠性影响研究
4.2.1 电荷俘获能
4.2.2 能带偏移值
4.3 Al浓度变化和Vo共掺杂对器件数据保持特性的影响
4.3.1 体系模型
4.3.2 氧空位形成能
4.3.3 电荷俘获能
4.4 本章小结
参考文献
第五章 HfO2/SiO2界面特性研究
5.1 界面模型
5.2 优化结果
5.3 界面间隙态
5.4 本章小结
参考文献
第六章 总结与展望
6.1 本文工作总结
6.2 展望
致谢
攻读学位期间发表的论文