Department of Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki, Sakyo-ku, Kyoto, 606-8585, Japan;
机译:使用CVD生长的3C-SiC种子层通过VLS传输在硅衬底上外延生长3C-SiC
机译:透射电子显微镜观察3C-SiC(110)和3C-SiC(100)虚拟衬底上外延石墨烯的生长
机译:用于3C-SiC外延生长的具有倒置硅棱锥的图案化基板:与常规(001)硅基板的比较
机译:SC-SiC在T形柱状Si基板上的外延生长
机译:电子应用硅上外延3C-SiC薄膜的生长和表征。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:用于太赫兹应用的3C-SiC / Si衬底上外延超薄NbN薄膜的生长和表征
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究