Department of Electrical Engineering, Penn State University, University Park, PA - 16802;
anisotropic etching; dry etching; inductively coupled plasma; reactive ion etching; micro electro mechanical systems (MEMS); glass; oxide; silicon; design of experiment; linear regression;
机译:使用C_4F_8 / SF_6化学方法在纳米形貌上对非晶硅纳米结构进行电感耦合等离子体刻蚀
机译:SF_6 / O_2中添加Ar对SiC电感耦合等离子体刻蚀的影响
机译:C_4F_8 + Ar感应耦合等离子体中SiN_x薄膜的气相化学和蚀刻机理
机译:在电感耦合等离子体反应离子蚀刻系统中使用基于SF_6 / C_4F_8 / AR / O_2的SF_6 / C_4F_8 / AR / O_2的高速各向异性蚀刻。
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:基于F-,Cl-和Cl / Br的电感耦合等离子体对Y2O3薄膜的反应性离子蚀刻
机译:Cl(2)-ar混合物电感耦合等离子体中Gaas及相关化合物的反应离子束蚀刻;真空科学与技术学报B