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周宏; 赖建军; 赵悦; 柯才军; 张坤; 易新建;
华中科技大学光电子工程系;
中国电子科技集团第44研究所;
反应离子刻蚀; 硅; 刻蚀速率; 选择比;
机译:空心阴极反应离子刻蚀等离子体中SF_6 / CF_4,SF_6 / O_2和CF_4 / O_2气相的化学研究
机译:通过在SF_6 / Ar,CHF_3 / Ar等离子体中进行反应离子刻蚀对ZnO:Al表面进行织构化,以用于薄膜硅太阳能电池
机译:使用SF_6 / O_2 / Cl_2气体混合物对多晶硅太阳能电池进行反应离子刻蚀纹理化
机译:使用基于蒙特卡洛方法的二维模型,通过SF_6 / O_2的混合物对硅进行高深宽比蚀刻的研究
机译:优化了用于MEMS旋转发动机动力系统的超深反应离子刻蚀硅组件的制造。
机译:通过深度反应离子刻蚀朝着微创诊断的方向制造锋利的硅空心微针
机译:研究在GIS母线管道中压缩的$ SF_6-N_2 $混合气体中所占百分比较低的$ SF_6 $的快速瞬变
机译:多晶硅太阳电池随机分布纹理的反应离子刻蚀。年度报告
机译:多晶硅复合材料结构的选择性各向异性反应离子刻蚀工艺
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