反应离子刻蚀法制绒在单晶硅太阳电池上的应用

摘要

反应离子刻蚀(Reactive ion etching,RIE)制备多晶硅太阳电池绒面技术已日趋成熟.但对于单晶,由于高能离子轰击硅片表面形成大的损伤而掩盖了RIE制绒带来的低反射率优势.本文研究了在预制绒基片上进行RIE 织构化处理,得到的硅片表面具有很好的陷光效果,平均反射率仅为6%左右.通过热氧化法改善表面损伤,发现在温度900℃下,氧化膜厚度为40 nm时,可得到较高的有效少子寿命,由此制得电池的内量子效率(IQE)、短路电流密度均有提高.