Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany;
机译:具有低导通电阻,高击穿电压和快速开关的AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:具有低导通电阻,高击穿电压和快速开关的AlGaN / GaN HFET的高温操作
机译:大功率AlGaN / GaN HFET,具有较低的通态电阻和较长的逆变器电路切换时间
机译:缓冲组合物对高压AlGaN / GaN HFET动态导通电阻的影响
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:Algan / GaN HFET和VO的调查
机译:高功率应力对高压GaN HEmT动态导通电阻的影响