Charge Trapping Memory; Non-volatile Memory; Simulation of Programming/Erasing/Retention Characteristics;
机译:高温对肖特基屏障捕获回忆的细胞读数,编程和擦除的影响
机译:程序/擦除循环频率对纳米级电荷陷阱非易失性存储器数据保留的影响研究
机译:围绕存储器的电荷陷阱门的编程,擦除和保留特性建模
机译:评估物理机制对电荷捕获记忆中的程序,擦除和保留的影响
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:通过利用氧化铝的高介电常数和高带隙低功率和闪光阵列的低功率和闪光阵列的保留增强
机译:poole-Frenkel效应对电荷陷阱存储器编程和擦除的影响
机译:可编程只读存储器(pROm)的可靠性评估。第三部分:紫外线可擦除pROm。