可电性擦除且可程序化的只读记忆胞及其程序化方法

摘要

本发明是关于一种可电性擦除且可程序化的只读记忆胞及其程序化方法，该可电性擦除且可程序化的只读记忆胞是由堆叠层、闸极导电层、第一源极/汲极区、第二源极/汲极区、第一口袋植入掺杂区与第二口袋植入掺杂区所构成。其中，堆叠层配置在基底上。此外，闸极导电层配置在堆叠层上。另外，第一源极/汲极区与第二源极/汲极区，分别配置在闸极导电层两侧的基底中。此外，第一口袋植入掺杂区配置在堆叠层下方的基底中，且与第一源极/汲极区邻接。另外，第二口袋植入掺杂区配置在堆叠层下方的基底中，且与第二源极/汲极区邻接，而且第一口袋植入掺杂区的掺杂浓度不同于第二口袋植入掺杂区的掺杂浓度。