机译:通过MOCVD技术生长的GaN外延层的表面研究和光致发光,用于太阳能电池和发光器件
机译:GaN衬底上的AlGaN / GaN外延层上的基于Ti / Al的欧姆接触的界面反应的表征
机译:4H-SiC衬底上AlGaN / GaN异质结构的表征及其在电子器件中的应用
机译:射频器件应用SIC基体上的MOCVD生长和表征AlGaN / GaN外延层
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:6H-SiC(0001)和Si(111)衬底上GaN和Algan合金薄膜的pendeo-Xizaial生长和表征。