机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:具有P-GaN栅极和电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的新型高击穿电压和高开速GaN HEMT
机译:嵌入式栅结构方法通常用于电力电子应用中的高压AlGaN / GaN HEMT
机译:功率电子应用中的高压AlGaN / GaN功率HEMT
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:Algan / Ingan / GaN和Inaln / Ingan / GaN HEMTS的设计与分析,高功率宽带宽应用