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【2h】

Design and Analysis of AlGaN/InGaN/GaN and InAlN/InGaN/GaN HEMTs for High-Power Wide Bandwidth Applications

机译：Algan / Ingan / GaN和Inaln / Ingan / GaN HEMTS的设计与分析，高功率宽带宽应用

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作者
REVATHY A; C.S. Boopathi; D. Nirmal;
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年度 2021
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1. AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs With an InGaN Notch for Enhanced Carrier Confinement [J] . Jie Liu, Yugang Zhou, Jia Zhu, IEEE Electron Device Letters . 2006,第1期

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2. AlGaN/GaN/InGaN/GaN HEMTs with an InGaN-notch [J] . J. Liu, Y. G. Zhou, J. Zhu, Physica Status Solidi. C, Conferences and critical reviews . 2006,第6期

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4. High Voltage InGaN/GaN/AlGaN RTD Suitable for ESD Protection Applications of GaN/InGaN-based Devices and ICs Validated by Simulation Results [C] . Zhang Haipeng, Geng Lu, Lin Mi, 2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits . 2018

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7. AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs With an InGaN Notch for Enhanced Carrier Confinement [O] . Jie Liu, Student Member, Yugang Zhou, 2014

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