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付晨;
山东大学;
极化; 库仑场; 散射; 理论应用; AlGaN;
机译:应变AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射的理论模型
机译:极化库仑场散射对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中高温电子迁移率的影响
机译:极化库仑场散射对70nm栅长AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
机译:单(AlGaN / GaN)和双(AlGaN / GaN / AlGaN)异质增强模式Hemts的研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的极化库仑场散射改善了线性度
机译:沟道电场分布对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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