基于极化掺杂AlGaN漏电隔离层的同质外延GaN HEMT及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于极化掺杂AlGaN漏电隔离层的同质外延GaN HEMT及其制作方法。其自下而上包括衬底、沟道层、AlN插入层、势垒层，其中，衬底与沟道层之间设有GaN缓冲层和极化掺杂AlGaN漏电隔离层，该漏电隔离层的Al组分自下而上沿着生长方向按照厚度每增加5nm‑6nm、组分减小1％‑5％的梯度从100％阶变到0％，该势垒层的上部依次设有绝缘栅介质层和栅电极，势垒层的两侧均为欧姆接触区，欧姆接触区上分别设置源电极和漏电极。本发明能有效降低异质外延氮化镓材料的位错密度，隔离氮化镓材料同质外延界面寄生漏电，提高器件击穿电压和输出功率及可靠性，可用于微波功率放大器和射频集成电路芯片。