3C-SiC; PVT; bulk; crystal growth; nucleation;
机译:降低在无台阶(0001)4H-SiC台面表面上生长的均匀GaN层中的位错密度
机译:使用氨分子束外延法在4H-SiC(0001)和Si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量AlN(0001)层的原位NC-AFM测量
机译:反应分子束外延在6H-SiC(0001)和GaN(0001)上生长的亚铁磁性Mn_4N(111)层
机译:大面积DPB Free(111)β-SiC厚层在(0001)α-SiC标称表面上通过CF-PVT方法生长
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:CF-pVT法在(0001)α-siC标称表面上生长大面积无DpB(111)β-siC厚层