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李源; 石爱红; 陈国玉; 顾秉栋;
青海民族大学交通学院,西宁810007;
青海民族大学化学化工学院,西宁810007;
碳化硅; 聚并台阶; 蒙特卡罗; 晶体生长;
机译:同步加速器X射线形貌分析4H-SiC(0001)Si表面局部台阶状束
机译:由于在相邻的4H-SiC(0001)外延层表面上的台阶聚集而形成了宽(0001)平台
机译:通过使用新的Si-O-C原子间电势阐明(0001)Si面与(0001)C面之间4H-SiC各向异性氧化速率的原子尺度机理
机译:在4H-SiC衬底上生长的硅面外延表面4°处的短长度台阶形貌
机译:同步X射线形貌表征4H-SiC衬底的缺陷
机译:在离轴4H-SiC上生长的外延石墨烯的纳米级结构表征(0001)
机译:4H-siC(0001)C刻面的表面形貌研究
机译:非紫外热处理mgO(100)表面的台阶形貌的TEm研究
机译:带有台阶端部的陶瓷砖,具有垂直的台阶面,该台阶面由沿砖的长度方向延伸的垂直止动面连接
机译:杂富勒烯和杂富勒烯酸四面体对称形貌与富勒烯和杂富勒烯衍生物四面体,八面体和二十面体之间的新关系-对称形貌
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