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机译:通过金属有机化学气相沉积在4H-SiC衬底上无缓冲层的高质量外延GaN膜生长
机译:具有薄硅顶层的SOI衬底上外延3C-SiC膜的化学气相沉积生长和表征
机译:通过SiH_4和C_3H_8通过化学气相沉积SiC膜外延生长的气相反应
机译:化学气相沉积SiC的表观生长及其在电子器件中的应用
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:通过化学气相沉积法在Si和C面4H SiC衬底上生长和表征SiC外延层