TFETs; Zinc; Tunneling; Indium gallium arsenide; Temperature dependence; Photonic band gap;
机译:从传导机制的角度看,NW-TFET直径对效率和固有电压增益的影响
机译:TFET亚阈值摆幅对界面和氧化物陷阱的固有鲁棒性:InGaAs TFET和MOSFET的PBTI比较研究
机译:高温下SOI和块状FinFET之间的固有电压增益和单位增益频率的比较分析
机译:InGaAs TFET中InxGa1-x成分和源极Zn扩散温度对本征电压增益的影响
机译:配备群作用的流形上扩散的偏积分解,保守力场中密度可变的Lorentz模型以及从相关马尔可夫链的内在度量重构流形。
机译:低温等离子体用于交联有机多层膜的组成深度分析:与C60和巨型氩气团簇源的比较
机译:NW-TFET直径对导通制度透视的效率和内在电压增益的影响