InP/InGaAs材料的Zn扩散技术

摘要

研究了MOCVD反应室进行Zn扩散工艺条件和工艺原理。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间等主要工艺参数,并且经过快速退火过程,获得了高空穴浓度的InP、 InGaAs材料,该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点,能够应用于光电探测器或其他器件。